- SJ 3244.3-1989 砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法 (0篇回复)
- SJ 3246-1989 铝镓砷(ＡＬｘＧａ１－ｘＡｓ)材料中铝组分的光荧光测试方法 (0篇回复)
- SJ 3247-1989 同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法 (0篇回复)
- SJ 3248-1989 重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法 (0篇回复)
- SJ 3249.1-1989 半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法 (0篇回复)
- SJ 3249.3-1989 半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法 (0篇回复)
- SJ 3250-1989 气体激光器功率系列等级和能量等级 (0篇回复)
- SJ 3251-1989 地面炮瞄雷达天线通用技术条件 (0篇回复)
- SJ 3252-1989 普及级小型录音机运带机构总技术条件 (0篇回复)
- SJ 3253-1989 编写电子行业计量器具检定规程的一般规定 (0篇回复)
- SJ 3258-1989 普及级小型录音机总技术条件 (0篇回复)
- SJ 3259-1989 音叉、音片谐振器总技术条件 (0篇回复)
- SJ 3260-1989 音叉、音片谐振器电性能测试方法 (0篇回复)
- SJ 3261-1989 ＲＷＨ１型温度熔断器 (0篇回复)
- SJ 3265-1989 电子琴电声性能测量方法 (0篇回复)
- SJ 3267-1989 电真空器件用镀镍铁带 (0篇回复)
- SJ 11151-1997 电视游戏机干扰特性限值和测量方法 (0篇回复)
- SJ 3272-1990 电阻器的安全要求 (0篇回复)
- SJ 3273-1990 高压件和组件的安全要求 (0篇回复)
- SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应? (0篇回复)
- SJ 20012-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应? (0篇回复)
- SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效? (0篇回复)
- SJ 20015-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小? (0篇回复)
- SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率? (0篇回复)
- SJ 20021-1992 电子管 ＦＵ１０１Ｆ型发射管详细规范 (0篇回复)