SJ 2376-1983 ３ＣＤ６４７型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管
部分标准内容：中华xxxx国电子工业部部标准3CD647型
PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2376--83
1本标准适用于耗散功率为1.5W的3CD647型PNP硅外延平面T艺的低频人功率三极管（以下简称三极管）。
三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号--般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(sus）———集电极一发射极（基极开路时）的...................
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