SJ 2365-1983 ３ＣＤ１６７、３ＣＤ３６７型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管
部分标准内容：中华xxxx国电子工业部部标准3CD167型、3CD367型
PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2365—83
1本标准适用于耗散功率为200W的3CD167型、3CD367型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的电参数符号般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(s...................
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