SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效?
部分标准内容：中华人民共和国电子行业j用标准半导体分立器件GP、GT和GCT级
CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconN-channeldeplitionmodefield-effecttransistoroftypeCs1oGP、GTandGCTclasses
1.1主题内容
SJ20013-92
本规范规定了CS1O型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33一85《半导体分立器件总规范》的规定，提供?..................
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