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文库首页 › 分类大区 › 行业标准 › SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效?
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SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效?

沟道器件分立半导体 | 电子行业(SJ)/化工行业(HG) 1 小时前 1 0star收藏 版权： . 保留作者信息 . 禁止商业使用 . 禁止修改作品
部分标准内容：中华人民共和国电子行业j用标准半导体分立器件
GP、GT和GCT级
CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconN-channeldeplitionmodefield-effecttransistoroftypeCs1oGP、GTandGCTclasses
1.1主题内容
SJ20013-92
本规范规定了CS1O型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33一85《半导体分立器件总规范》的规定，提供?..................
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