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文库首页 › 分类大区 › 行业标准 › SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率?
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SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率?

器件分立功率晶体管 | 电子行业(SJ)/化工行业(HG) 1 小时前 1 0star收藏 版权： . 保留作者信息 . 禁止商业使用 . 禁止修改作品
部分标准内容：中华人民共和国电子行业j用标准半导本分立器件
GP、GT和GCT级
3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
Semiconductor diserete deviceDetailspecificationforNPNsiliconlow-powerhiht-reverse-vollage transistor for type 3DG182GP,GTandGCTelasses
1.1主题内容
SJ20016--92
本规范规定了3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件均按GJB33一85半导体分立器件总规范》的规定?..................
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