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文库首页 › 分类大区 › 行业标准 › SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应?
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SJ 20011-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应?

分立沟道半导体器件 | 电子行业(SJ)/化工行业(HG) 1 小时前 1 0star收藏 版权： . 保留作者信息 . 禁止商业使用 . 禁止修改作品
部分标准内容：
中华人民共和国电子行业j用标准FL5961
半导体分立器件
GP、GT和GCT级
SJ20011—92
CS1、CS4、CS10型硅N沟道
耗尽型场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon N-channeldeplition mode fieldeffect transistor of types CS1,CS4.CS10GP,GTandGCTclasses
1992-02-01发布
中G电子工业总公司
1992-05-01实施中华人民共和国电子行业j用标准半导体分立器件
G...................
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