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SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极－发射极反向击穿电压的测试方法

集电极发射极击穿耦合器 | 电子行业(SJ)/化工行业(HG) 4 小时前 1 0star收藏 版权： . 保留作者信息 . 禁止商业使用 . 禁止修改作品
部分标准内容：
中华xxxx国电子工业部部标准半导体光耦合器集电极一发射极反向击穿电压的测试方法免费标准bzxz.net
本标准适合于光耦合器集电极一发射极反向击穿电压V（BR)CEo的测试。SJ2215.7-82
测试集电极一发射极反向击穿电压V（BR）cEo的总要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。
2反向击穿电压V(8R)CEO的测试
2.1定义
发光二极管开路，集电极电流1c为规定值，集电极与发射极间的电压降。2.2
V(B...................
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