找回密码
 立即注册
相关推荐换一批
  1. SJ 20054-1992 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
  2. SJ 20015-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小?
  3. SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效?
  4. SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应?
  5. SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应?
  6. SJ 910-1974 3DW50~202型硅半导体稳压二极管
  7. SJ 909-1974 2CW50~149型硅半导体稳压二极管
  8. SJ 50033/163-2003 半导体分立器件3DK457型功率开关晶体管详细规范
  9. SJ 1472-1979 3CG110型PNP硅外延平面高频小功率三极管
  10. SJ 1469-1979 3CG101型PNP硅外延平面高频小功率三极管
  11. SJ 1267-1977 半导体器件用散热器在自然空气冷却状态下的热阻测试方法
  12. GB 7084-1986 电子器件详细规范 半导体集成电路CH2013型HTL六反相器(可供认证用)
  13. GB/T 3306.13-1982 小功率电子管电性能测试方法 栅极截止电压和栅极电流截止电压的?
  14. GB/T 3306.3-1982 小功率电子管电性能测试方法 对阴极具有负电位的栅极电流的测试方
  15. GB/T 3306.2-1982 小功率电子管电性能测试方法 阳极电流和对阴极具有正电位的栅极电
  16. SJ 2854-1988 半导体分立器件 塑封引线框架详细规范
  17. SJ 2853-1988 半导体分立器件 螺栓形管座管帽详细规范
  18. SJ 2852-1988 半导体分立器件 大功率管管座管帽详细规范
  19. SJ 2851-1988 半导体分立器件 小功率管管座管帽详细规范
  20. SJ 2807-1987 电子级气体中痕量氢的测试方法 气敏色谱法
  21. SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法
  22. SJ 2757-1987 重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
半导体MOS别为栅极 | 其他 2025-05-07 159 0star收藏 版权: . 保留作者信息 . 禁止商业使用 . 禁止修改作品
MOSFET功率器件介绍与产品推广科技创芯·导引未来InnovationforFuturePRISEMI芯导授权代*KOYUELEC光与电子075582542001,82574660谢谢惠顾MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管,英文简称为MOSFET,具有三个电极,分别为:栅极G、源极S和漏极D,根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。什么是MOS管,做什么用MOS管广泛应用于电平转换、防反接、开关控制、缓启动、逻辑转换、信号放大及精确控制电流等领域,具有体积小、质量轻、省电等优点,在电子设备中扮演重要角色在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻...................

更多内容请下载后查看!

00223972910[下载].rar

002258w56a65r7ltqilt7e.jpg


上一篇:庆元旦迎新年线上活动方案
下一篇:PRISEMI芯导原厂授权D理商KOYUELEC光与电子月度IC推广专项会议一级D理分销经销