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GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

针法薄层14141外延 | 国家标准(GB)/机械行业(JB) 2025-10-12 29 0star收藏 版权： . 保留作者信息 . 禁止商业使用 . 禁止修改作品
部分标准内容：
ICS.29.045
中华人民共和国G家标准　
GB/T14141—2009
代替GB/T14141-1993
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array2009-10-30发布
中华人民共和国G家质量监督检验检疫总局中GG家标准化管理w员会
2010-06-01实施
GB/T14141—2009
本标准代替GB/T14...................
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